Время работы: 9:00 – 17:30
E-mail: mail@labstore.ru
RUB
- RUB
  Российский рубль
- EUR
  Евро
- USD
  Доллар США
- No elements found. Consider changing the search query.
- List is empty.
Eng

Главная
Каталог
Реактивы
Back-gated OFET Interdigitated Substrate Au source/drain, 90 nm SiO2 gate-insulator, varied W/L from 500 to 4000, 16 transistors per chip, chips (diced)

Back-gated OFET Interdigitated Substrate Au source/drain, 90 nm SiO2 gate-insulator, varied W/L from 500 to 4000, 16 transistors per chip, chips (diced)

Под заказ

Back-gated OFET Interdigitated Substrate Au source/drain, 90 nm SiO2 gate-insulator, varied W/L from 500 to 4000, 16 transistors per chip, chips (diced)

Сроки поставки

Сроки поставки данного товара уточняются.

Производитель: Sigma Aldrich
Артикул: RA-948975
Категория: Реактивы
Кат номер: FIPMS223-1PAK

CAS: -

Характеристики
Описание

Рекомендуемые товары

D-(-)-лактат натрия

5-(N,N-Dimethyl)amiloride hydrochloride

Кинопрен

Immobiline® Drystrip pH 3-10 L, 18 cm Cytiva 17-1234-01, pack of 12 strips

6-Бром-5-флуороиндол

Boc-(+/-)-транс-4-(4-циано-фенил)-пирролидин-3-карбоновая кислота

Рубиновые шарики, диаметр(мм), 1.59 (1/16дюйм.), сорт 25

Tin foil, thickness 0.0005 mm, size 25 × 25 mm, purity 99.75%

Carvacrol natural, 99%, FG

4-HYDROXY-L-ISOLEUCINE

Циклобутанкарбоновая кислота

Пинаколовый эфир 3-циано-2-флуоробензолбороновой кислоты

SODIUM OLEATE

4-Флуоро-2-метилбензоилхлорид

Carbon foil, 15mm disks, thickness 0.2mm, flexible graphite, 99.8%

2-(2-n-Butoxyethoxy)ethyl acetate, 98%

Осимертиниб, примесь А

3-Phenylpropionic acid, 99%

Tris(ethylenediamine)cobalt(III) chloride trihydrate

12,12,13,13,14,14,15,15,16,16,17,17,17-Tridecafluoroheptadecyltrimethoxysilane 95%

Этот сайт использует cookie. Продолжая пользоваться сайтом, вы даёте своё согласие на работу с этими файлами.